無(wú)塵車(chē)間溫濕度主要根據加工工藝要求確定.. 在滿(mǎn)足加工工藝的條件下，應將人的舒適性作為首選。凈化實(shí)驗室均已通過(guò)醫藥潔凈檢測中心檢測，為萬(wàn)級潔凈實(shí)驗室。主要開(kāi)展項目為：CIK細胞免疫治療、DC－CIK免疫治療、超級免疫粒細胞治療等?？諝庹{節系統必須可靠運行，采用先進(jìn)技術(shù)，合理利用和節約能源與資源，保證環(huán)境的質(zhì)量和安全，為實(shí)驗人員提供所需要的溫度和濕度，保障生物實(shí)驗在安全的條件下進(jìn)行，以確保實(shí)驗結果得準確性。實(shí)驗室凈化參與多個(gè)醫療重點(diǎn)課題的實(shí)驗和臨床研究，同時(shí)參加國際會(huì )議和國內重點(diǎn)峰會(huì )論壇，為當今的細胞免疫治療和癌癥/肝病患者奉獻了自己的一份力量。潔凈實(shí)驗必須控制實(shí)驗室的潔凈度，對新風(fēng)進(jìn)行過(guò)濾，使實(shí)驗室達到一定的凈化要求。其中排風(fēng)系統是重點(diǎn)，對于保證實(shí)驗室相對負壓環(huán)境和有效過(guò)濾室內污染排風(fēng)起著(zhù)重要的作用。凈化工程的具體過(guò)程有不同的溫度要求，但作為一般原則，隨著(zhù)加工精度越來(lái)越精細，對溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。
例如，在大規模集成電路生產(chǎn)的平版曝光過(guò)程中，玻璃和硅片作為掩模材料的熱膨脹系數的差別越來(lái)越小。直徑為100微米的硅片在溫度升高1度時(shí)會(huì )引起0.24微米的線(xiàn)性膨脹。因此，有必要保持恒定的溫度？0.1度，濕度值一般較低，因為產(chǎn)品出汗后會(huì )受到污染，特別是在半導體車(chē)間，怕鈉，不應超過(guò)25度。
濕度過(guò)大會(huì )造成更多的問(wèn)題。當相對濕度大于55%時(shí)，冷卻管壁會(huì )凝結，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，會(huì )引起各種事故。相對濕度為50%時(shí)，很容易生銹。此外，當濕度過(guò)高時(shí)，附著(zhù)在硅片表面的灰塵會(huì )被空氣中的水分子化學(xué)吸附在表面。相對濕度越高，去除粘附的難度越大，但當相對濕度小于30%時(shí)，由于靜電的作用，顆粒也很容易吸附在表面，大量的半導體器件容易發(fā)生擊穿。硅片生產(chǎn)的最佳溫度范圍為35≤45%。
此外，相對濕度有許多因素可能會(huì )降低潔凈室的整體性能，包括：細菌生長(cháng)，房間在室溫下感覺(jué)舒適的范圍內的靜電荷，金屬腐蝕，水蒸氣凝結，降解光刻等。
因此，濕度控制是無(wú)塵車(chē)間生產(chǎn)的重要條件。相對濕度是無(wú)塵車(chē)間和潔凈室運行中常見(jiàn)的環(huán)境控制條件。無(wú)塵車(chē)間典型相對濕度目標值控制在30-50%范圍內，允許誤差在較窄的范圍內。1%。
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